SSD-накопитель M.2 512GB A-Data XPG SX8200 Pro (ASX8200PNP-512GT-C)

Повышение производительности
SX8200 Pro — самый быстрый SSD от XPG на сегодняшний день, разработанный для геймеров, энтузиастов и оверклокеров. Оснащен интерфейсом PCIe Gen3x4 с поддержкой NVMe 1.3, обеспечивая скорости чтения/записи до 3500/3000 МБ/с, что значительно превосходит возможности SATA 6Gb/s. Этот SSD идеально подходит для многозадачности и требовательных приложений.
Интеллектуальное ускорение
Благодаря SLC-кэшированию и DRAM-кэш-буферу, SX8200 Pro ускоряет последовательное и случайное чтение/запись, сокращая время отклика системы. Особенно подходит для мультимедиа, игр и задач, связанных с оверклокингом.
3D NAND Flash: Высокая емкость и надежность
Использование 3D NAND Flash позволяет достигать емкости до 1 ТБ, повышает эффективность работы и надежность в сравнении с 2D SSD. Технологии защиты данных обеспечивают высокий показатель TBW и долговечность накопителя.
LDPC ECC: Гарантия целостности данных
Технология LDPC (Low-Density Parity-Check) исправляет широкий спектр ошибок данных, что обеспечивает более точную передачу данных и увеличивает срок службы SSD.
E2E защита данных и RAID Engine
Поддержка End-to-End защиты данных и RAID Engine гарантирует безопасность и целостность данных, а также увеличивает срок эксплуатации накопителя.
5-летняя гарантия
Каждый компонент прошел строгий контроль качества и сертификацию. Накопитель сопровождается 5-летней гарантией.
Эффективное охлаждение с радиатором
В комплекте поставляется элегантный черный радиатор XPG с заранее нанесенным термопастой. Пользователи могут выбрать, использовать ли SSD с радиатором или без него, в зависимости от дизайна их системы.
SSD ToolBox
Программное обеспечение SSD ToolBox обеспечивает автоматическое обновление прошивки для оптимальной производительности и мониторинг состояния накопителя через S.M.A.R.T. Технология позволяет отслеживать температуру, емкость, используемое пространство и общее состояние накопителя.
Основные
Объём 512 ГБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Версия NVMe 1.3
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Silicon Motion SM2262EN
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 320 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Скорость последовательного чтения 3 500 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 2 300 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 390 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 380 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 0.33 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.14 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 2 000 000 ч
Толщина 3.5 мм
Охлаждение
Тип охлаждения пластина