SSD-накопитель SAMSUNG 870 EVO, 1TB MZ-77E1T0BW
- - Самовывоз г.Минск, ул.Притыцкого, 8 - вторник 30.07 по предварительному заказу
список ПВЗ - - Курьером по Минску - четверг 01.08, бесплатно
- - Доставка курьером по Беларуси - четверг 01.08
- Картой
- Картой рассрочки Халва
- Наличными
- Картой
| Аппаратное шифрование: | есть (AES 256bit) |
| Время наработки на отказ (МТBF): | 1500000 ч |
| Длина, мм: | 100 |
| Емкость: | 1 Тб |
| Интерфейс передачи данных: | SATA III |
| Контроллер: | Samsung MKX |
| Максимальная ударная нагрузка: | 1500 G (при работе) |
| Назначение: | для настольного компьютера, для ноутбука |
| Подключение: | SATA 3.0 |
| Ресурс TBW: | 600 Тб |
| Скорость последовательного чтения: | 560 Мб/с |
| Скорость последовательной записи: | 530 Мб/с |
| Скорость случайного чтения: | 98000 IOPS |
| Скорость случайной записи: | 88000 IOPS |
| Тип: | SSD диск |
| Тип флэш-памяти: | V-NAND 3bit MLC |
| Толщина: | 6.8 мм |
| Форм-фактор накопителя: | 2.5" |
| Цвет: | черный |
| Ширина, мм: | 69.85 |
| Энергопотребление (ожидание): | 0.03 Вт |
| Энергопотребление (чтение/запись): | 4 Вт (макс.) |
Основная информация
Назначение: для ПК
Форм-фактор: 2.5"
Объем памяти: 1 ТБ
Интерфейс: SATA 3.0 (6Gbps)
Макс. скорость последовательного чтения, МБайт/с: 560
Макс. скорость последовательной записи, МБайт/с: 530
Средняя скорость случайного чтения: 98000
Средняя скорость случайной записи: 88000
Время наработки на отказ (МТBF): 1500000
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Краткое описание: SSD диск Samsung 870 Evo 1TB (MZ-77E1T0BW)/2.5"/1 ТБ/SATA 3.0 (6Gbps)/560MBs/530MBs/98K IOPS/88K IOPS/1.5M MTBF/3D TLC NAND
Дополнительные характеристики
Дата выхода на рынок: 2021
Контроллер: Samsung MKX
Адаптер 3.5": нет
Размеры устройств M.2: 100 х 69.85 х 6.8 мм
Аппаратное шифрование: да
Подсветка: нет
Охлаждение: нет
Время наработки на отказ (МТBF): 1500000
Объeм буфера: 1024
Энергопотребление (чтение/запись): 2.5
Энергопотребление (ожидание): 0.03
Пропускная способность интерфейса МБайт/с: 6000
Комплектация: Storage Memory Samsung V-NAND 3bit MLC, Samsung MKX Controller, Cache Memory Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM
Параметры быстродействия
Средняя скорость случайного чтения: 98000
Средняя скорость случайной записи: 88000
Пропускная способность интерфейса МБайт/с: 6000
Функциональные особенности
S.M.A.R.T.: да
Поддержка TRIM: да
Габариты и вес
Длина: 0.68
Ширина: 6.985
Толщина: 6.8
Вес: 45